时间：2025/8/28 14:56:04
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NTMFS6B14N是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率的电源转换应用设计，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制以及电源管理模块等场景。NTMFS6B14N采用先进的封装技术，具备低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性，适合在高功率密度和高可靠性要求的系统中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大值为3.7mΩ（典型值更低）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：PowerPAK SO-8双封装
NTMFS6B14N具有多项优异的电气和物理特性。其导通电阻极低，可显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的高电流承载能力使其能够应对大功率负载的切换需求，确保在高电流应用中稳定运行。
此外，NTMFS6B14N采用了先进的PowerPAK SO-8双封装技术，具备出色的散热性能，能够在高温环境下保持较低的结温，从而延长器件的使用寿命并提高系统的可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的逻辑电平控制，便于与各种驱动电路配合使用。同时，其内部结构设计优化，具备较强的抗瞬态电压和电流冲击能力，适用于各种高频开关应用。
NTMFS6B14N还具备良好的短路耐受能力，在异常工作条件下仍能保持一定的稳定性，降低系统故障率。
NTMFS6B14N广泛应用于高性能电源管理系统，如同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、服务器电源、工业自动化控制设备以及汽车电子系统等。
在服务器和通信设备的电源模块中，NTMFS6B14N可作为主开关或同步整流元件，提高转换效率并减少发热。在电机控制系统中，它可用于H桥结构实现正反转控制，提供快速响应和稳定性能。此外，在电池供电设备中，该MOSFET可用于高效地控制充放电路径，确保电池安全运行。
由于其高可靠性和优异的热性能，NTMFS6B14N也常用于汽车电子系统中的电源管理和电机控制模块，支持复杂环境下的稳定运行。
SiR142DP-T1-GE、IRLR8829PbF、FDMS8878、NTMFS6H10N、IPB028N10N5ATMA1
