UVR2D2R2MED是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)以及雷击感应等瞬态过电压事件的影响而设计。该器件采用微型DFN10L封装(2.5mm x 1.0mm),具有低电容特性,适用于高速数据线路的信号完整性保护。UVR2D2R2MED集成了多个TVS二极管结构,能够同时提供差分和共模保护,广泛应用于便携式消费类电子产品、通信接口和工业控制领域中的高密度PCB布局场景。其设计符合IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-5等国际电磁兼容性标准,确保在严苛电磁环境中仍能可靠工作。
类型:TVS二极管阵列
通道数:2
工作电压(Vrwm):2.2V
击穿电压(Vbr):最小2.45V,典型2.65V
钳位电压(Vc):最大7.8V(在Ipp = 1A条件下)
峰值脉冲电流(Ipp):1A(单次非重复)
电容值(Ct):每引脚最大0.7pF(典型值约0.5pF)
漏电流(Ir):最大1μA(在Vrwm下)
ESD耐受能力:接触放电±15kV,空气放电±20kV(符合IEC 61000-4-2 Level 4)
封装形式:DFN10L (2.5x1x0.55mm)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
焊接温度(最大):260°C(根据J-STD-020)
UVR2D2R2MED具备卓越的瞬态电压抑制性能,能够在纳秒级时间内响应高达±20kV的静电放电冲击,有效防止下游集成电路因瞬间高压而导致的损坏。其核心优势之一是极低的结电容,每个引脚的电容典型值仅为0.5pF,最大不超过0.7pF,这一特性使其非常适合用于高速信号线路如USB 2.0、HDMI、MIPI、SD卡接口等需要保持信号完整性的应用场景。由于高频信号对寄生电容极为敏感,过高的电容会导致信号衰减、反射和时序失真,而UVR2D2R2MED的超低电容设计显著降低了对传输信号的影响,确保数据传输速率可达480Mbps甚至更高。
该器件采用双向二极管结构,支持双极性瞬态电压保护,既可应对正向也可应对负向的电压浪涌,适用于单端和差分信号线的防护。内部结构优化实现了对共模和差模干扰的同时抑制,增强了系统整体的抗扰度。此外,UVR2D2R2MED具有非常低的漏电流,在正常工作电压下漏电流小于1μA,几乎不会增加系统的静态功耗,这对于电池供电的移动设备尤为重要。其小型化DFN10L封装不仅节省宝贵的PCB空间,还提供了良好的热传导性能和机械稳定性,适合自动化贴片生产流程。
从可靠性角度看,UVR2D2R2MED通过了AEC-Q101车规级认证,表明其在极端温度循环、湿度、振动等恶劣环境下仍能保持长期稳定运行,因此也可用于汽车电子中的信息娱乐系统或传感器接口保护。器件的钳位电压在1A脉冲电流下不超过7.8V,意味着在瞬态事件发生时能将电压限制在一个安全范围内,避免后级IC超过其最大额定电压。综合来看,UVR2D2R2MED是一款高性能、小尺寸、高可靠性的ESD保护解决方案,特别适合现代高集成度、高速度、低功耗电子系统的设计需求。
UVR2D2R2MED主要用于各类高速数字接口的静电放电(ESD)和瞬态电压保护,典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB 2.0接口、microSD卡槽、摄像头模块(MIPI接口)、显示屏排线(LVDS或RGB接口)等。在这些设备中,由于用户频繁插拔连接器或直接接触接口,极易引入人体模型(HBM)或机器模型(MM)类型的静电脉冲,UVR2D2R2MED能够迅速泄放这些能量,防止主控芯片或存储器受损。此外,该器件也常用于工业通信模块如RS-485、CAN总线前端信号调理电路中,作为二级保护元件与气体放电管或压敏电阻配合使用,提升整个系统的电磁兼容性(EMC)等级。在便携式医疗设备中,例如心率监测仪、血糖仪等人机交互界面,UVR2D2R2MED可用于触摸按键、传感器输入端口的防护,确保设备在医院或家庭环境中长期稳定运行。在汽车电子领域,它可部署于车载导航系统、倒车影像输入端、车内USB充电口等位置,满足严苛的车载环境要求。由于其符合RoHS和无卤素标准,也适用于绿色电子产品制造。
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