时间：2025/7/15 19:41:20
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NTMFS5C673NT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和快速开关性能，从而减少能量损耗并提高系统效率。此型号封装为DPAK，便于在各种工业、汽车及消费类电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏-源电压 (VDS)：60 V
最大栅-源电压 (VGS)：±20 V
导通电阻 (RDS(on))：12.5 mΩ @ VGS=10V
导通电阻 (RDS(on))：19 mΩ @ VGS=4.5V
功耗 (PD)：200 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
NTMFS5C673NT1G具有多项关键特性，使其成为高性能电源转换应用的理想选择。
首先，其低导通电阻可显著降低传导损耗，从而提升整体效率，尤其是在大电流负载条件下表现优异。
其次，该MOSFET采用先进的Trench结构设计，优化了电场分布，增强了器件的击穿耐压能力，同时提高了开关速度，减少了开关损耗。
此外，NTMFS5C673NT1G具备较高的雪崩能量承受能力，确保在极端工作条件下的稳定性和可靠性。
该器件还支持宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），适用于严苛环境中的应用，如汽车电子和工业自动化系统。
最后，DPAK封装形式不仅提供了良好的热管理性能，还简化了PCB布局和散热设计，有助于实现紧凑高效的电源解决方案。
NTMFS5C673NT1G广泛应用于多种电力电子领域，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统以及各类高效率电源供应器。
在服务器和通信设备的电源模块中，该MOSFET可作为主开关或同步整流开关，有效提高能源利用率。
在电动工具、电动车控制器等高功率便携式设备中，其低导通电阻和高电流承载能力可以延长电池使用寿命。
此外，在光伏逆变器、UPS不间断电源等新能源系统中，该器件凭借其出色的耐用性和稳定性，能够满足长时间连续工作的需求。
由于其高可靠性和优越的热性能，该MOSFET也常用于车载电子产品，如车载充电器、启动系统和照明控制电路。
SiS622DN-T1-GE3, FDD8880, IRF1404ZTRPBF
