NTMFS4C09N 时间：2025/7/16 18:15:03 阅读：15

NTMFS4C09N是一款由ON Semiconductor生产的高性能功率MOSFET器件。该器件采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。NTMFS4C09N属于N沟道MOSFET，常用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。其封装形式为5引脚DFN（Dual Flat No-lead）封装，具有优良的散热能力，能够在高电流负载下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：100A
　　Rds(on)（最大值）@Vgs=10V：4.2mΩ
　　Rds(on)（最大值）@Vgs=4.5V：6.0mΩ
　　功耗（Pd）：93W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：5引脚DFN（5.0mm x 6.0mm）

特性

NTMFS4C09N在功率MOSFET领域表现出色，其核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得器件在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的Rds(on)在Vgs=10V时仅为4.2mΩ，在Vgs=4.5V时为6.0mΩ，适用于低电压驱动应用，如电池供电系统和同步整流电路。
　　此外，NTMFS4C09N采用5引脚DFN封装，具有更佳的热管理性能，能够有效将热量从芯片传导到PCB板上，确保在高电流工作条件下保持稳定的温度表现。这种封装方式还具备较小的封装尺寸，有助于节省PCB空间，适用于高密度设计的电子产品。
　　该MOSFET具备优良的开关性能，支持快速开关操作，减少开关损耗。这使其非常适合用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用场景。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）确保了在各种恶劣环境下仍能稳定运行，增强了系统的可靠性和耐用性。
　　NTMFS4C09N还具备良好的抗雪崩能力和高能效特性，能够承受一定的过载和瞬态冲击。这种特性使其在工业控制、汽车电子和通信设备等高要求环境中具备出色的性能表现。

应用

NTMFS4C09N广泛应用于各类高性能电源管理系统中，例如同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块以及电机控制电路。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件在电池供电设备、服务器电源、网络设备、工业自动化系统以及汽车电子系统中均有广泛应用。
　　在同步整流电路中，NTMFS4C09N可以有效提高电源转换效率，降低功耗；在DC-DC转换器中，其快速开关特性可提升系统响应速度；在负载开关应用中，其高电流能力和低Rds(on)有助于实现高效的功率分配与控制。