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NTMFS4C09N 发布时间 时间:2025/7/16 18:15:03 查看 阅读:11

NTMFS4C09N是一款由ON Semiconductor生产的高性能功率MOSFET器件。该器件采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术,具备较低的导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。NTMFS4C09N属于N沟道MOSFET,常用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。其封装形式为5引脚DFN(Dual Flat No-lead)封装,具有优良的散热能力,能够在高电流负载下稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):30V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id)@25°C:100A
  Rds(on)(最大值)@Vgs=10V:4.2mΩ
  Rds(on)(最大值)@Vgs=4.5V:6.0mΩ
  功耗(Pd):93W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:5引脚DFN(5.0mm x 6.0mm)

特性

NTMFS4C09N在功率MOSFET领域表现出色,其核心优势在于其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得器件在高电流应用中能够显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件的Rds(on)在Vgs=10V时仅为4.2mΩ,在Vgs=4.5V时为6.0mΩ,适用于低电压驱动应用,如电池供电系统和同步整流电路。
  此外,NTMFS4C09N采用5引脚DFN封装,具有更佳的热管理性能,能够有效将热量从芯片传导到PCB板上,确保在高电流工作条件下保持稳定的温度表现。这种封装方式还具备较小的封装尺寸,有助于节省PCB空间,适用于高密度设计的电子产品。
  该MOSFET具备优良的开关性能,支持快速开关操作,减少开关损耗。这使其非常适合用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用场景。同时,其宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C)确保了在各种恶劣环境下仍能稳定运行,增强了系统的可靠性和耐用性。
  NTMFS4C09N还具备良好的抗雪崩能力和高能效特性,能够承受一定的过载和瞬态冲击。这种特性使其在工业控制、汽车电子和通信设备等高要求环境中具备出色的性能表现。

应用

NTMFS4C09N广泛应用于各类高性能电源管理系统中,例如同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块以及电机控制电路。由于其低导通电阻和高电流承载能力,该器件在电池供电设备、服务器电源、网络设备、工业自动化系统以及汽车电子系统中均有广泛应用。
  在同步整流电路中,NTMFS4C09N可以有效提高电源转换效率,降低功耗;在DC-DC转换器中,其快速开关特性可提升系统响应速度;在负载开关应用中,其高电流能力和低Rds(on)有助于实现高效的功率分配与控制。

替代型号

SiR142DP, NexFET CSD17551Q5A, FDS4410A, IRF6723

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