C5750X6S2W225KT000N是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率电源转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高耐压以及快速开关特性,能够显著提升系统性能并降低功耗。它支持表面贴装封装,适合自动化生产,广泛用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中。
类型:MOSFET
极性:N沟道
耐压:650V
导通电阻:180mΩ
最大电流:14A
封装形式:TO-252(DPAK)
工作温度范围:-55℃至175℃
栅极电荷:35nC
反向恢复时间:35ns
C5750X6S2W225KT000N具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在额定条件下仅为180毫欧,从而减少传导损耗。
2. 高电压耐受能力,可承受高达650V的漏源极电压,适用于高压应用环境。
3. 快速开关速度,其极小的栅极电荷和反向恢复时间确保了高效的能量转换。
4. 支持宽泛的工作温度范围,从-55℃到175℃,适应各种恶劣工况。
5. 紧凑型表面贴装封装,简化了设计与生产流程,提高了可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这款MOSFET适用于广泛的电子电路设计,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关管。
2. 工业电机驱动器及逆变器的功率级元件。
3. 消费类产品的负载切换和保护功能。
4. 充电器和适配器的高效功率转换模块。
5. LED照明系统的恒流控制和调光功能。
6. 各种需要高效率和可靠性的DC/DC转换器设计。
C5750X6S2W225KT110NS2W225KT220N