时间：2025/7/1 7:59:52
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C5750X6S2W225KT000N是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率电源转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高耐压以及快速开关特性，能够显著提升系统性能并降低功耗。它支持表面贴装封装，适合自动化生产，广泛用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中。
类型：MOSFET
极性：N沟道
耐压：650V
导通电阻：180mΩ
最大电流：14A
封装形式：TO-252(DPAK)
工作温度范围：-55℃至175℃
栅极电荷：35nC
反向恢复时间：35ns
C5750X6S2W225KT000N具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在额定条件下仅为180毫欧，从而减少传导损耗。
2. 高电压耐受能力，可承受高达650V的漏源极电压，适用于高压应用环境。
3. 快速开关速度，其极小的栅极电荷和反向恢复时间确保了高效的能量转换。
4. 支持宽泛的工作温度范围，从-55℃到175℃，适应各种恶劣工况。
5. 紧凑型表面贴装封装，简化了设计与生产流程，提高了可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这款MOSFET适用于广泛的电子电路设计，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关管。
2. 工业电机驱动器及逆变器的功率级元件。
3. 消费类产品的负载切换和保护功能。
4. 充电器和适配器的高效功率转换模块。
5. LED照明系统的恒流控制和调光功能。
6. 各种需要高效率和可靠性的DC/DC转换器设计。
C5750X6S2W225KT110NS2W225KT220N
