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STGWA50M65DF2 发布时间 时间:2025/3/28 15:03:39 查看 阅读:10

STGWA50M65DF2是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高压功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件专为高效率、高频开关应用设计,适用于工业和汽车领域中的各种场景,如电机驱动、DC-DC转换器以及逆变器等。其额定电压为650V,最大持续漏极电流可达50A,具有较低的导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功率损耗。

参数

最大漏源电压:650V
  最大连续漏极电流:50A
  栅极-源极电压:±20V
  导通电阻(典型值,在Vgs=10V时):0.13Ω
  总功耗:280W
  结温范围:-55°C至175°C
  开关时间:开启延迟时间:90ns,关断延迟时间:55ns

特性

STGWA50M65DF2具有出色的电气性能和可靠性。其主要特点包括低导通电阻,有助于减少传导损耗;快速开关速度,可降低开关损耗并提高系统效率;高雪崩能力,确保在过载条件下仍能稳定工作;具备增强的热稳定性,能够在高温环境下长期运行;同时,其坚固耐用的设计使其非常适合苛刻的工作环境。
  此外,该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的寄生电感和电容,从而减少了开关噪声和电磁干扰。这些优点使得STGWA50M65DF2成为高性能功率转换应用的理想选择。

应用

STGWA50M65DF2广泛应用于需要高电压和大电流处理能力的场合。具体应用场景包括但不限于以下领域:
  1. 电机驱动:用于控制交流或直流电机的速度和方向,支持高效且可靠的运行。
  2. DC-DC转换器:作为主功率开关,实现输入输出电压的精准转换,满足不同负载需求。
  3. 逆变器:将直流电转换为交流电,适用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)。
  4. 开关电源(SMPS):提供高效的电力转换解决方案,适用于工业设备和家用电器。
  5. 电动汽车和混合动力汽车:用于电池管理系统、车载充电器以及牵引逆变器中。

替代型号

STGW50H65DF2
  IRFP260N
  FDP55N65

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STGWA50M65DF2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥43.96000管件
  • 系列M
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)150 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V,50A
  • 功率 - 最大值375 W
  • 开关能量880μJ(开),1.57mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷150 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值42ns/130ns
  • 测试条件400V,50A,6.8 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)162 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247 长引线