STGWA50M65DF2是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高压功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件专为高效率、高频开关应用设计,适用于工业和汽车领域中的各种场景,如电机驱动、DC-DC转换器以及逆变器等。其额定电压为650V,最大持续漏极电流可达50A,具有较低的导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功率损耗。
最大漏源电压:650V
最大连续漏极电流:50A
栅极-源极电压:±20V
导通电阻(典型值,在Vgs=10V时):0.13Ω
总功耗:280W
结温范围:-55°C至175°C
开关时间:开启延迟时间:90ns,关断延迟时间:55ns
STGWA50M65DF2具有出色的电气性能和可靠性。其主要特点包括低导通电阻,有助于减少传导损耗;快速开关速度,可降低开关损耗并提高系统效率;高雪崩能力,确保在过载条件下仍能稳定工作;具备增强的热稳定性,能够在高温环境下长期运行;同时,其坚固耐用的设计使其非常适合苛刻的工作环境。
此外,该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的寄生电感和电容,从而减少了开关噪声和电磁干扰。这些优点使得STGWA50M65DF2成为高性能功率转换应用的理想选择。
STGWA50M65DF2广泛应用于需要高电压和大电流处理能力的场合。具体应用场景包括但不限于以下领域:
1. 电机驱动:用于控制交流或直流电机的速度和方向,支持高效且可靠的运行。
2. DC-DC转换器:作为主功率开关,实现输入输出电压的精准转换,满足不同负载需求。
3. 逆变器:将直流电转换为交流电,适用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)。
4. 开关电源(SMPS):提供高效的电力转换解决方案,适用于工业设备和家用电器。
5. 电动汽车和混合动力汽车:用于电池管理系统、车载充电器以及牵引逆变器中。
STGW50H65DF2
IRFP260N
FDP55N65