时间：2025/5/21 14:20:52
阅读：3
NTMFS4C08NT1G是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263-3（DPAK）封装形式。该器件由ON Semiconductor（现为安森美半导体）制造，广泛用于各种功率转换和开关应用中。它具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电源管理等场景。
该MOSFET的额定电压为40V，能够承受较大的漏极电流，同时其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：13A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：25nC（典型值）
总功耗：11.7W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263-3（DPAK）
NTMFS4C08NT1G采用了先进的功率MOSFET技术，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗。
2. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下仍能稳定运行。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗并提高效率。
4. 紧凑的TO-263-3封装，便于表面贴装，适合高密度设计。
5. 广泛的工作温度范围，使其适用于严苛环境下的应用。
这些特性使得NTMFS4C08NT1G成为高效功率转换的理想选择，尤其在需要高电流、低功耗的应用中表现突出。
NTMFS4C08NT1G主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和初级开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子设备中的负载开关和保护电路。
4. 计算机和通信设备中的DC-DC转换器。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其出色的电气特性和可靠性，这款MOSFET非常适合需要高性能和高效率的场合。
NTMFS5C090N, IRF540N, FDP5501
