时间：2025/4/29 10:29:39
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NTMFS4C022NT1G 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），属于 Nexperia 公司的 MOSFET 产品系列。该器件采用 LFPAK56E 封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
该型号主要以高效能和可靠性著称，适合用于需要高性能功率切换的应用场合。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：78A
导通电阻（Rds(on)）：0.45mΩ（在典型条件下）
总电荷量（Qg）：19nC
栅极电荷（ Qgs/Qgd）：10.5nC/8.5nC
功耗：38W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
NTMFS4C022NT1G 提供了极低的导通电阻 (Rds(on))，从而减少了传导损耗，提高了效率。此外，它还具有较低的栅极电荷 (Qg)，有助于实现更快的开关速度并降低开关损耗。
LFPAK56E 封装确保了良好的散热性能，并且支持表面贴装技术 (SMT)，简化了生产流程。
其高电流承载能力使其成为大功率应用的理想选择，同时具备优异的雪崩能力和抗静电能力，增强了器件的耐用性。
由于采用了铜夹片技术，该器件能够提供更低的热阻和电气阻抗，进一步提升了整体性能。
这款 MOSFET 广泛应用于工业和消费电子领域，包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机控制与驱动
- 电池保护电路
- 照明系统（如 LED 驱动）
- 数据通信设备中的负载开关
凭借其卓越的性能和稳定性，NTMFS4C022NT1G 在各类高效率功率转换设计中表现优异。
NTMFS4C020NTP, NTMFS4C022NTP
