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NTMFS4899NFT1G 发布时间 时间:2023/4/12 11:52:47 查看 阅读:568

NTMFS4899NFT1G技术参数

目录

概述

制造商:ONSemiconductor

RoHS:否

配置:1

功率耗散:2.7W

最大工作温度:+150℃

封装/箱体:SO-8

最小工作温度:-55C

安装风格:SMD/SMT

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTMFS4899NFT1G参数

  • 标准包装1,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1600pF @ 12V
  • 功率 - 最大920mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘(5 引线)
  • 供应商设备封装6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTMFS4899NFT1GOSTR