NTMFS4899NFT1G
时间:2023/4/12 11:52:47
阅读:568
概述
制造商:ONSemiconductor
RoHS:否
配置:1
功率耗散:2.7W
最大工作温度:+150℃
封装/箱体:SO-8
最小工作温度:-55C
安装风格:SMD/SMT
NTMFS4899NFT1G推荐供应商
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- NTMFS4899NFT1G
- 深圳市郓州科技有限公司
- 8000
- ON Semiconductor
- 23+/8PowerTDFN 5 Leads
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- NTMFS4899NFT1G
- 深圳市励芯恒智能科技有限公司
- 296610
- ON Semiconductor Corporation
- NA/23+
-
NTMFS4899NFT1G参数
- 标准包装1,500
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.4A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫欧 @ 30A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds1600pF @ 12V
- 功率 - 最大920mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘(5 引线)
- 供应商设备封装6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称NTMFS4899NFT1GOSTR