时间：2025/5/10 17:48:02
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MAZF04700LSO 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有出色的开关性能、低导通电阻以及高效的热管理能力。由于其卓越的性能表现，MAZF04700LSO 广泛应用于射频放大器、功率转换模块以及通信设备等领域。
该器件在高频工作条件下表现出极低的损耗，同时能够承受较高的电压和电流密度，这使得它成为替代传统硅基功率器件的理想选择。
类型：增强型场效应晶体管
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：15A
导通电阻：47mΩ
栅极电荷：80nC
反向恢复时间：无（因 GaN 技术无反向恢复特性）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK56
MAZF04700LSO 的主要特性包括：
1. 高开关频率支持，适用于高频应用场景。
2. 极低的导通电阻（47mΩ），有助于减少传导损耗。
3. 先进的氮化镓技术确保了更高的效率和更小的体积。
4. 良好的热性能设计，使器件能够在高温环境下稳定运行。
5. 内置保护功能，如过流保护和短路耐受能力，提高了系统的可靠性。
6. 封装兼容性良好，便于直接替换现有解决方案中的其他类型晶体管。
MAZF04700LSO 适合多种高性能需求的应用领域，例如：
1. 射频功率放大器：用于无线通信基站和其他高频信号处理场景。
2. 功率转换器：DC-DC 和 AC-DC 转换电路中作为高效开关元件。
3. 新能源系统：太阳能逆变器、电动车驱动器及储能装置中的关键组件。
4. 工业自动化设备：提供快速响应与精确控制能力。
5. 数据中心电源供应：实现更高能效比。
MAZF04500LSO
MAZF05000LSO
