时间：2023/10/31 9:51:40
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类别：分离式半导体产品
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.5 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：39nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3100pF @ 12V
功率 - 最大：890mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：5-DFN, SO8 FL
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：SO-8
