时间：2025/8/1 18:15:54
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NTMFS4833NT3G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和较高的效率，适用于各种高频率、高效率的功率转换系统。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V（最大）
连续漏极电流（Id）：85A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：7.2mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：DPAK
NTMFS4833NT3G具备多项优良特性，包括低导通电阻（Rds(on)），有效降低功率损耗并提高系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽技术，使器件在高电流条件下仍能保持良好的热稳定性。此外，其高栅极击穿电压（20V）提供了更强的抗干扰能力和可靠性，适用于复杂的电源管理环境。
该器件的封装形式为DPAK，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于在PCB上安装。NTMFS4833NT3G具有较高的电流承载能力（85A），适用于大功率负载开关和DC-DC转换器等应用。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
另外，该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）使其适用于高频开关应用，如同步整流、电机控制和负载切换等场景。
NTMFS4833NT3G主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池供电设备、服务器电源和汽车电子等领域。其高效率和低导通电阻特性也使其适用于需要高功率密度和高可靠性的工业和消费类电子产品。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF7483TRPBF, FDS4833
