电容值：6.8μF
　　容差：±20%
　　额定电压：10V
　　温度系数：X5R
　　封装尺寸：1206（3216 公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　介质材料：陶瓷
　　最大高度：1.6mm
　　额定电流：-

KHC101E685M76N0T00 具有优异的高频特性，能够在高频电路中保持稳定的电容值，降低信号损耗。其X5R温度系数保证了在-55°C到+85°C的工作温度范围内，电容值的变化率不超过±15%。该电容器采用陶瓷介质，具备良好的绝缘性能和较低的等效串联电阻（ESR），使其在去耦、滤波和旁路应用中表现出色。
　　此外，该型号采用1206（3216公制）封装，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和装配精度。其紧凑的尺寸设计有助于节省PCB空间，同时保持较高的电容密度。在高可靠性要求的应用中，如汽车电子控制系统、工业自动化设备和通信模块，KHC101E685M76N0T00 也表现出良好的稳定性和耐用性。
　　该电容器还具备良好的抗湿热性能和耐老化能力，能够在恶劣环境中长期稳定运行。其陶瓷结构使其具有优异的抗振动和抗冲击能力，适用于高可靠性要求的军工和航空航天领域。

该电容器广泛应用于各种电子设备中，如电源管理模块、DC-DC转换器、滤波电路、信号处理电路以及高速数字电路。在汽车电子方面，常用于发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统、车身控制模块等关键部件。在工业控制领域，适用于PLC、伺服驱动器、传感器模块等高稳定性要求的设备。此外，该器件也常用于通信设备中的射频滤波器、功率放大器偏置电路等部分，提供稳定的电容支持。

C0805C685M7RACTU, GRM319R61C685KA01L, CL21B685KBQNNNE