时间：2025/6/12 18:50:51
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NTMFD4C88NT1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的高密度、低电阻的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TOLL 封装，适用于需要高效率和高性能的应用场景。其出色的导通电阻 (Rds(on)) 和开关性能使其成为功率转换、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。
该器件具有极低的导通电阻，在宽广的工作电流范围内保持高效表现，同时支持高频开关操作，有助于减少系统功耗并提高整体效率。
型号：NTMFD4C88NT1G
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：80V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4mΩ
IDS（连续漏极电流）：92A
栅极电荷：55nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TOLL
NTMFD4C88NT1G 的主要特点是其极低的导通电阻，仅为 4mΩ（典型值），从而显著降低传导损耗。此外，该器件还具有较低的栅极电荷和输出电容，有助于提升开关速度并减少开关损耗。其坚固的设计允许在高达 175°C 的高温环境下稳定运行，适合恶劣环境下的应用。TOLL 封装提供良好的散热性能，并支持自动化组装流程。
其他特性包括：
- 高电流处理能力（92A 持续漏极电流）。
- 超低 Rds(on)，优化了功率效率。
- 强大的雪崩和短路耐受能力。
- 符合 AEC-Q101 标准，确保汽车级可靠性。
- 环保设计，符合 RoHS 规范。
NTMFD4C88NT1G 广泛应用于高功率密度和高效率要求的场合，包括但不限于以下领域：
- 电动汽车和混合动力汽车中的 DC/DC 转换器和牵引逆变器。
- 工业电机控制和伺服驱动系统。
- 太阳能微型逆变器和其他可再生能源解决方案。
- 高效开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
- 各类负载开关和保护电路。
- 电信基础设施中的功率调节模块。
NTMFS4C88N, IRFZ44N, FDP16N80
