时间：2025/8/2 8:49:44
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DMN65D8LW-7是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用设计，具有低导通电阻和优异的热性能。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，适用于负载开关、电源管理、DC/DC转换器、电池供电设备等应用场景。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-5.7A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.125Ω @ VGS = -10V
导通电阻（RDS(on)）：0.16Ω @ VGS = -4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT-223
功率耗散（PD）：1.5W
热阻（RθJA）：83°C/W
DMN65D8LW-7具有多个关键特性，使其适用于高性能电源管理应用。首先，其P沟道结构支持在负电压条件下工作，适用于多种电源开关和负载控制应用。其次，该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，有效降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。该器件在不同栅极电压下均表现出较低的RDS(on)，例如在VGS = -10V时仅为0.125Ω，在VGS = -4.5V时为0.16Ω，这使得其可以在多种驱动条件下保持良好的性能。
此外，DMN65D8LW-7的漏源电压为-60V，支持在中高电压系统中使用，适用于电池供电设备、DC/DC转换器、负载开关以及电源管理系统。该器件的连续漏极电流为-5.7A（在25°C环境下），可支持中等功率级别的负载。同时，其热阻（RθJA）为83°C/W，功率耗散为1.5W，具备良好的热稳定性和散热能力，有助于在高负载条件下保持可靠运行。
该MOSFET采用SOT-223封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，同时具备良好的机械稳定性和焊接性能。其工作温度范围为-55°C至150°C，可在各种工业和消费类应用中提供稳定可靠的性能。
DMN65D8LW-7适用于多种电源管理及负载控制应用场景。其主要应用包括DC/DC转换器、负载开关、电源管理系统、电池供电设备、便携式电子产品、工业控制系统、电机驱动电路以及各种需要高效能P沟道MOSFET的场合。由于其具备较低的导通电阻和较高的电压耐受能力，该器件在高效率电源转换和节能系统中表现出色。此外，其SOT-223封装形式也适合空间受限的设计，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、移动电源、LED照明驱动电路等。
Si4435BDY, FDC638P, IRML6401, AO4486
