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NTMFD4951NFT3G 发布时间 时间:2025/5/8 14:36:40 查看 阅读:12

NTMFD4951NFT3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的肖特基二极管。该器件采用 DFN3030-8 封装形式,具有低正向压降和快速恢复时间的特性,适合用于高效能开关电源、DC-DC 转换器以及反向电池保护等应用领域。其出色的热性能和紧凑的封装使其成为对空间敏感的设计的理想选择。
  肖特基二极管以其低功耗和高效率而闻名,NTMFD4951NFT3G 在高频电路中表现尤为出色,可有效减少功率损耗并提高系统整体效率。

参数

最大正向电流:7A
  峰值正向浪涌电流:28A
  正向电压:0.36V(典型值,If=7A)
  反向恢复时间:15ns
  最大反向工作电压:40V
  结电容:15pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

NTMFD4951NFT3G 具有以下显著特点:
  1. 超低正向压降,有助于降低功耗并提升效率。
  2. 快速反向恢复时间确保其适用于高频开关应用。
  3. 紧凑型 DFN3030-8 封装,节省 PCB 空间且具备良好的散热性能。
  4. 高温工作能力,适应严苛的工作环境。
  5. 无铅设计符合 RoHS 标准,环保友好。
  6. 可靠性高,适用于各种工业和消费类电子设备。

应用

NTMFD4951NFT3G 主要应用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的整流和续流功能。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 反向电池保护电路。
  4. 太阳能微逆变器及能量收集模块。
  5. 笔记本电脑适配器和移动设备充电器。
  6. 电动工具和家用电器中的高效能电路设计。

替代型号

NTMBR0840CT1G
  STL40H04-TP
  MBR740U3T3G

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NTMFD4951NFT3G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型-
  • 技术-
  • 漏源电压(Vdss)-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)-
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道-非对称)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN