时间：2025/6/11 20:06:56
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NTMD6N03R2G 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET，具有出色的开关性能和高耐压能力。这款器件专为高频、高效应用设计，能够显著降低开关损耗并提高功率密度，适用于电动汽车、工业电源、太阳能逆变器等领域。
额定电压：650V
额定电流：10A
Rds(on)（典型值）：2.4mΩ
栅极电荷（Qg）：85nC
反向恢复时间（trr）：80ns
结温范围：-55℃至175℃
NTMD6N03R2G 使用先进的 SiC 材料，使其具备更低的导通电阻和更高的工作温度范围。其超低的 Rds(on) 值可以有效减少导通损耗，同时快速的开关速度也降低了开关损耗。
此外，该器件具有非常低的栅极电荷和反向恢复时间，这在高频操作中尤为重要。它还提供短路保护功能以增强系统可靠性，并且与传统的硅基 MOSFET 相比，能显著提升整体效率和功率密度。
由于采用了 TO-247 封装形式，这种 MOSFET 具备良好的散热性能，适合长时间稳定运行。
NTMD6N03R2G 广泛应用于多种高要求场景中，例如电动汽车中的电机驱动和车载充电器、数据中心的高效服务器电源、太阳能光伏逆变器以及不间断电源 (UPS) 系统等。
此外，在工业自动化领域，该器件可被用作开关电源的核心组件，或者作为高频 DC-DC 转换器中的关键元件，满足对高性能和小尺寸解决方案的需求。
CSD19536KCS, SCT2080KL, FFP060W12B7
