NTMD4N03R2G
时间:2023/4/12 11:29:00
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NTMD4N03R2G参数
- 标准包装2,500
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 阵列
- 系列-
- FET 型2 个 N 沟道(双)
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 4A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 20V
- 功率 - 最大2W
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装8-SOICN
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称NTMD4N03R2GOSNTMD4N03R2GOS-NDNTMD4N03R2GOSTR