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NTMD4N03R2G 发布时间 时间:2023/4/12 11:29:00 查看 阅读:337

NTMD4N03R2G技术参数

目录

概述

描述:30V,4A,N沟道双MOSFET

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTMD4N03R2G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 20V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTMD4N03R2GOSNTMD4N03R2GOS-NDNTMD4N03R2GOSTR