时间：2025/5/23 10:46:05
阅读：15
NTLUD3A50PZTAG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的场景，广泛用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。其出色的性能使其成为许多工业和消费类应用的理想选择。
这款 MOSFET 的主要特点是低导通电阻（Rds(on)）以及高雪崩能力，能够有效减少功率损耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压：50V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
总功耗：19W
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-263
NTLUD3A50PZTAG 的导通电阻较低，仅为 4.5mΩ，这使得它在高电流应用中表现出色，能够显著降低功率损耗。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
其快速开关速度和低栅极电荷也使其非常适合高频应用。同时，这款 MOSFET 具备较高的雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性和可靠性。
此外，TO-263 封装形式提供了良好的散热性能，简化了 PCB 设计，并有助于进一步提升系统效率。
NTLUD3A50PZTAG 广泛应用于各类电力电子设备中，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动电路、负载切换控制等。
在汽车电子领域，它可以用于电池管理系统（BMS）、LED 驱动器和车载充电器。在工业自动化方面，该器件适用于变频器、伺服驱动器和其他需要高效功率控制的场合。
NTLUD3A50NZTAG, IRF540N
