时间：2024/9/11 9:34:02
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二极管30 V，4.6 A，N沟道，带2.0 A肖特基势垒，2x2 mm WDFN封装
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：二极管（隔离式）
开态Rds（最大） Id,Vgs 25℃：70毫欧 2A,4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id) 25℃：2.5A
Id时的Vgs(th)（最大）：1V 250μA
闸电荷(Qg) Vgs：6.5nC 4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss)：427pF 15V
功率-最大：710mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-VDFN
包装：带卷(TR)
供应商设备封装：6-TDFN
其它名称：NTLJF4156NT1G-NDNTLJF4156NT1GOSTR
WDFN封装提供外露排水垫，实现卓越的热传导
共封装MOSFET和肖特基，便于电路布局
RDS（开启）额定电压为低VGS（开启）电平，VGS=1.5 V
薄型（<0.8 mm），便于在薄环境中安装
低VF肖特基
这是一个无铅设备
