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NTJS3151PT2G 发布时间 时间:2023/4/14 11:58:35 查看 阅读:339

MOSFET小信号

目录

概述

制造商:ONSemiconductor

产品种类:MOSFET小信号

RoHS:是

配置:SingleQuadDrain

晶体管极性:P-Channel

电阻汲极/源极RDS(导通):0.133Ohms

正向跨导gFS(最大值/最小值):15S

汲极/源极击穿电压:-12V

闸/源击穿电压:+/-12V

漏极连续电流:-3.3A

功率耗散:0.625W

最大工作温度:+150℃

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SC-88

封装:Reel

最小工作温度:-55℃

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTJS3151PT2G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)400mV @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 12V
  • 功率 - 最大625mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)