NTJS3151PT2G
时间:2023/4/14 11:58:35
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概述
制造商:ONSemiconductor
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:SingleQuadDrain
晶体管极性:P-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.133Ohms
正向跨导gFS(最大值/最小值):15S
汲极/源极击穿电压:-12V
闸/源击穿电压:+/-12V
漏极连续电流:-3.3A
功率耗散:0.625W
最大工作温度:+150℃
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SC-88
封装:Reel
最小工作温度:-55℃
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NTJS3151PT2G参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)12V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)400mV @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 12V
- 功率 - 最大625mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装SOT-363
- 包装带卷 (TR)