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NTJD4158CT1G 发布时间 时间:2023/4/13 10:55:50 查看 阅读:478

分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFETs - 阵列

FET 型:N 和 P 沟道

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.5 欧姆 @ 10mA, 4.5V

漏极至源极电压(Vdss):30V, 20V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:250mA, 880mA

Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 100?A

闸电荷(Qg) @ Vgs:1.5nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :33pF @ 5V

功率 - 最大:270mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-70-6,SC-88,SOT-363

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:SOT-363

其它名称:NTJD4158CT1G-NDNTJD4158CT1GOSTR

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTJD4158CT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V,20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C250mA,880mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 10mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds33pF @ 5V
  • 功率 - 最大270mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTJD4158CT1G-NDNTJD4158CT1GOSTR