您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NTJD4105CT2G

NTJD4105CT2G 发布时间 时间:2023/4/17 10:45:57 查看 阅读:491

制造商:ONSemiconductor
产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:ONSemiconductor

产品种类:MOSFET小信号

RoHS:是

配置:Dual

晶体管极性:NandP-Channel

电阻汲极/源极RDS(导通):0.36Ohms/0.51Ohms

正向跨导gFS(最大值/最小值):2S,2S

汲极/源极击穿电压:20V,-8V

闸/源击穿电压:+/-12V,+/-8V

漏极连续电流:0.63A,-0.775A

功率耗散:0.27W

最大工作温度:+150℃

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOT-363

封装:Reel

最小工作温度:-55℃

StandardPackQty:3000

资料

厂商
ON Semiconductor

NTJD4105CT2G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NTJD4105CT2G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

NTJD4105CT2G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V,8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C630mA,775mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C375 毫欧 @ 630mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds46pF @ 20V
  • 功率 - 最大270mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)