您好，欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册
网站首页 | 采购商服务 | 会员服务 | 工程师服务 | 网站导航

产品
发布采购信息 修改/删除采购【看报价】
您所在的位置：电子元器件采购网 > IC百科 > NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G 发布时间 时间：2023/4/11 9:49:43 查看 阅读：476

NTJD1155LT1G技术参数

目录

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V)：8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：175

最大漏极电流Id(on)(A)：1.300

通道极性：P沟道

封装/温度(℃)：SOT-363/-55 ~150

描述：8 V, ± 1.3 A功率MOSFET

资料

厂商
ON Semiconductor

NTJD1155LT1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NTJD1155LT1G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

NTJD1155LT1G相关型号推荐

IC词条百科

NTJD1155LT1G产品

NTJD1155LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C175 毫欧 @ 1.2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大400mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTJD1155LT1GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

©2024 维库电子市场网（www.dzsc.com）　经营许可证编号：浙B2-20050339 版权声明

十六年专注打造优质电子元器件采购网、IC交易平台。

买家服务热线：0571-85317666 | 买家服务部QQ： QQ:1609526468
卖家服务热线：0571-85317586 | 卖家服务部QQ： QQ:331652727