时间：2025/9/14 3:15:56
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BUK964R7-80E,118 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。该器件采用常见的 TO-263（D2PAK）封装形式，便于在高功率密度电路中进行散热管理。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：220A
导通电阻 Rds(on)（最大值）@Vgs=10V：4.7mΩ
导通电阻 Rds(on)（最大值）@Vgs=4.5V：5.9mΩ
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
功率耗散（Ptot）：180W
BUK964R7-80E,118 具备多项优良的电气与热性能，适用于高功率、高效率的电力电子系统。其主要特性包括：
1. **低导通电阻**：在 Vgs=10V 时，Rds(on) 仅为 4.7mΩ，有效降低了导通损耗，提高系统效率。
2. **高电流能力**：连续漏极电流可达 220A，在高功率负载下仍能保持稳定工作。
3. **优异的热性能**：TO-263 封装提供良好的散热能力，适用于高温环境下的工作条件。
4. **高可靠性**：器件可在 175°C 的结温下稳定运行，适合高可靠性和高稳定性要求的应用场景。
5. **广泛的工作温度范围**：从 -55°C 到 175°C，使其适用于工业级和汽车级应用环境。
6. **栅极驱动兼容性强**：支持标准 10V 和 4.5V 栅极驱动电压，适用于多种控制电路设计。
7. **坚固耐用的结构设计**：具有良好的抗浪涌电流和短路能力，增强系统稳定性。
8. **绿色环保**：符合 RoHS 标准，无铅封装，符合现代电子产品的环保要求。
BUK964R7-80E,118 主要应用于需要高效功率管理和高电流处理能力的场合，例如：
1. **DC-DC 转换器**：用于服务器、通信设备和工业电源中的高效降压/升压转换器。
2. **电机驱动器**：适用于高性能电机控制电路，如电动工具、机器人和自动化设备。
3. **电池管理系统**：用于电动车、储能系统中的电池充放电控制电路。
4. **电源开关电路**：作为高功率负载的开关元件，用于工业自动化和智能配电系统。
5. **汽车电子**：如车载充电器、车身控制模块、电动助力转向系统等。
6. **UPS（不间断电源）**：用于高频逆变器和整流器中，提高能源转换效率。
7. **太阳能逆变器**：作为主功率开关器件，用于光伏系统中的能量转换环节。
SiR182DP-T1-GE3, IRF1404, STP220N8F7AG, IPB080N04NG4
