您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NTHD4502NT1G

NTHD4502NT1G 发布时间 时间:2023/4/12 11:58:57 查看 阅读:597

NTHD4502NT1G技术参数

目录

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85

最大漏极电流Id(on)(A):3.900

通道极性:N

封装/温度(℃):ChipFET/-55~150

描述:30V,3.9A,N沟道双MOSFET

资料

厂商
ON Semiconductor

NTHD4502NT1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NTHD4502NT1G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

NTHD4502NT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C85 毫欧 @ 2.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds140pF @ 15V
  • 功率 - 最大640mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装ChipFET?
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTHD4502NT1GOSTR