NTHD4502NT1G
时间:2023/4/12 11:58:57
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概述
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85
最大漏极电流Id(on)(A):3.900
通道极性:N
封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
描述:30V,3.9A,N沟道双MOSFET
NTHD4502NT1G参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 阵列
- 系列-
- FET 型2 个 N 沟道(双)
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C85 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs7nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds140pF @ 15V
- 功率 - 最大640mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装ChipFET?
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称NTHD4502NT1GOSTR