类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：150V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：52A
　　脉冲漏极电流（IDM）：208A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：22mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：30mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值3.0V，范围2.0V~4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值4080pF
　　输出电容（Coss）：典型值690pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值25ns
　　二极管正向电压（Vf）：典型值0.85V
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB

IRFS52N15D的核心优势之一在于其基于TrenchFET技术实现的极低导通电阻。这种先进的制造工艺通过优化沟道结构和减少寄生电阻，显著降低了RDS(on)，从而在大电流工作条件下减少了导通损耗。例如，在VGS=10V时，其最大RDS(on)仅为22mΩ，这使得器件能够在高负载下保持较低的温升，提升系统能效和可靠性。此外，该MOSFET在VGS=4.5V时仍能保持较低的导通电阻（30mΩ），表明其在低电压驱动条件下依然具备良好的性能，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。
　　另一个重要特性是其集成的肖特基体二极管。与传统MOSFET中使用的PN结体二极管不同，IRFS52N15D内置的肖特基二极管具有更低的正向压降（典型值0.85V）和更快的反向恢复速度（trr典型值25ns）。这一设计大幅减少了在续流阶段的能量损耗，尤其是在高频开关应用中，能够有效抑制反向恢复电流尖峰，降低电磁干扰（EMI）并提升系统效率。同时，快速的开关速度配合低栅极电荷（Qg）特性，使得该器件非常适合用于高频DC-DC变换器和同步整流电路。
　　该器件还具备出色的热稳定性和可靠性。其额定工作结温高达+175°C，并支持在-55°C至+175°C的宽温度范围内稳定运行，适用于严苛的工业和汽车环境。TO-220AB封装提供了良好的热传导路径，便于通过散热器将热量快速散发，确保长时间高负荷运行下的稳定性。此外，器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在电压瞬态或负载突变情况下的鲁棒性。综合来看，IRFS52N15D凭借其低RDS(on)、集成肖特基二极管、高电流能力和优异的热性能，成为中高压功率转换应用中的理想选择。

IRFS52N15D广泛应用于多种高效率电源转换系统中。在DC-DC转换器中，特别是同步降压（Buck）转换器中，该MOSFET常被用作主开关或同步整流开关，利用其低导通电阻和集成肖特基二极管的优势，显著提升转换效率，尤其在高电流输出场景下表现突出。在电机驱动应用中，如直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，IRFS52N15D能够承受频繁的开关操作和较大的峰值电流，同时其快速的开关响应有助于实现精确的PWM控制，提升电机控制精度和动态响应。
　　在逆变器系统中，包括太阳能逆变器和UPS不间断电源，该器件可用于DC-AC转换级的功率开关，其高耐压（150V）和高电流能力使其适用于中等功率等级的逆变拓扑。此外，在开关模式电源（SMPS）中，IRFS52N15D可用于有源钳位、软开关或主功率开关拓扑，帮助实现更高的功率密度和效率。工业电源系统中也常见其身影，特别是在需要高可靠性和长期稳定运行的场合，如工业自动化设备、服务器电源和电信整流模块。
　　由于其良好的热性能和坚固的封装设计，该器件也适用于汽车电子系统中的辅助电源或车载充电模块，尽管并非专为车规级认证设计，但在非安全关键类应用中仍具竞争力。此外，在LED驱动电源、电池管理系统（BMS）中的充放电开关以及各类高功率照明系统中，IRFS52N15D都能发挥其高效、可靠的性能优势。总之，该器件适用于所有要求高效率、高频率和高可靠性的中高压功率开关场景。

IRF52N15D, FQP52N15, STP52N15, SPW52N15