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NTHD3101FT1G 发布时间 时间:2025/5/26 19:13:06 查看 阅读:10

NTHD3101FT1G是一款高性能的NTC(负温度系数)热敏电阻,专为高精度温度检测和补偿应用而设计。该型号具有快速响应时间和稳定的性能表现,能够在较宽的工作温度范围内提供精确的电阻变化输出。
  其核心特性在于能够随着环境温度的变化呈现显著且可预测的电阻值变化,这种特性使其非常适合用于各种工业、汽车及消费电子领域中的温度监控与控制场景。

参数

型号:NTHD3101FT1G
  类型:NTC热敏电阻
  B值(25°C/85°C):3470 K
  电阻值(R25):10kΩ
  公差(R25):±1%
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  热时间常数:≤6秒
  耗散系数:≤2mW/°C
  额定功率:20mW

特性

NTHD3101FT1G具备以下关键特性:
  1. 高精度的电阻值和低漂移特性,适合精密测量需求。
  2. 工作温度范围广,适用于极端条件下的温度监测。
  3. 快速的热响应速度,可以及时捕捉温度变化。
  4. 小型化封装,便于集成到紧凑型设计中。
  5. 稳定性良好,在长时间使用后仍能保持较高的性能一致性。
  6. 具备优秀的抗湿性和耐久性,适合在恶劣环境下工作。

应用

NTHD3101FT1G广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子系统中的冷却液温度检测、进气温度监测等。
  2. 家用电器领域,如冰箱、空调等设备的温度控制。
  3. 工业自动化中的过程控制与温度监控。
  4. 电源管理模块中的过温保护电路。
  5. 消费类电子产品中的电池温度监控,例如笔记本电脑或手机。
  6. 医疗设备中的精确温度检测,如恒温箱或加热器控制。

替代型号

NTCALUG02103S110
  NTCALUG02103B110
  NTHD15NP103F01

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NTHD3101FT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 3.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds680pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装ChipFET?
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTHD3101FT1GOSTR