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NTH4L070N120M3S 发布时间 时间:2025/8/7 11:01:53 查看 阅读:14

NTH4L070N120M3S 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的高性能 SiC(碳化硅)功率 MOSFET 模块,适用于高功率、高频应用。该模块采用先进的碳化硅技术,具有更低的导通电阻、更快的开关速度以及更高的热稳定性,非常适合用于电动车、可再生能源系统以及工业电源等场景。

参数

类型:SiC MOSFET 模块
  额定电压:1200V
  额定电流:70A
  导通电阻(Rds(on)):70mΩ(最大)
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:双面散热(Dual Side Cooling)
  封装尺寸:约 62.3mm x 35.5mm x 8.5mm
  极性:N-Channel
  配置:单管模块

特性

NTH4L070N120M3S 采用先进的碳化硅(SiC)技术,具备出色的电热性能。其导通电阻仅为 70mΩ,在高电流工作条件下可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件的额定电压为 1200V,支持在高压环境下稳定运行,适用于电动车充电系统、车载逆变器以及工业用高功率转换器。
  NTH4L070N120M3S 采用双面散热封装设计,有助于提升散热效率,使模块在高功率密度应用中保持稳定的工作温度。同时,该模块的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,具备良好的环境适应性和可靠性,适用于严苛的工业及汽车电子应用。
  该器件还具备快速开关特性,可有效降低开关损耗,提高系统的工作频率,从而减小外围电感和电容的体积,实现更紧凑的系统设计。此外,SiC MOSFET 的零反向恢复特性也有助于减少电磁干扰(EMI),提高系统稳定性。

应用

NTH4L070N120M3S 主要用于高功率、高效率的电力电子系统中。典型应用包括电动车车载充电机(OBC)、DC-DC 转换器、逆变器、可再生能源系统(如光伏逆变器)、储能系统以及工业电源设备等。
  由于其高电压耐受能力和优异的导通性能,NTH4L070N120M3S 非常适合用于 800V 高压直流母线系统,广泛应用于新能源汽车、智能电网和工业自动化领域。此外,其高频开关特性也使其成为软开关拓扑(如 LLC 和 ZVS)的理想选择,有助于提升整体系统效率和功率密度。

替代型号

CMF1200150D(Wolfspeed)、IMW120R070M1H(Infineon)、SCT3045KL(ROHM)

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