NTH4L040N65S3F 是一款由 Nexperia(原 Philips Semiconductor)生产的 N 沯道 MOSFET。该器件采用了先进的 Trench 技术,具有低导通电阻和快速开关性能,适用于高频开关应用。其额定电压为 650V,额定电流为 40A,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。
这款 MOSFET 具有出色的热性能和电气特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。此外,它还具备强大的雪崩能力,增强了在过压条件下的可靠性。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:40A
导通电阻(典型值):150mΩ
栅极电荷(典型值):18nC
反向恢复时间:9ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-220
NTH4L040N65S3F 的主要特点是低导通电阻和高开关速度,这使得它非常适合高频应用环境。此外,它的雪崩能力较强,可以承受一定的瞬态过压事件,从而提高了系统的鲁棒性。
该器件的导通电阻在典型条件下仅为 150mΩ,有助于减少传导损耗。同时,其栅极电荷较低,减少了驱动功率需求,进一步提升了整体效率。
由于采用了 TO-220 封装,NTH4L040N65S3F 提供了良好的散热性能,使其能够在高功率密度的应用中稳定运行。另外,宽泛的工作温度范围使它能够适应多种恶劣环境。
NTH4L040N65S3F 广泛应用于需要高效能和高可靠性的领域,包括但不限于以下方面:
- 开关电源(SMPS)
- 直流/直流转换器
- 电机驱动电路
- 太阳能逆变器
- 工业控制
- 电动工具
凭借其高频特性和低损耗,该器件成为这些应用的理想选择。
NTH4L040N65S3
NTH4L040N65S3L
IRFP460
FDP18N65C3