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NTH4L040N65S3F 发布时间 时间:2025/4/29 18:44:52 查看 阅读:4

NTH4L040N65S3F 是一款由 Nexperia(原 Philips Semiconductor)生产的 N 沯道 MOSFET。该器件采用了先进的 Trench 技术,具有低导通电阻和快速开关性能,适用于高频开关应用。其额定电压为 650V,额定电流为 40A,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。
  这款 MOSFET 具有出色的热性能和电气特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。此外,它还具备强大的雪崩能力,增强了在过压条件下的可靠性。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):150mΩ
  栅极电荷(典型值):18nC
  反向恢复时间:9ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220

特性

NTH4L040N65S3F 的主要特点是低导通电阻和高开关速度,这使得它非常适合高频应用环境。此外,它的雪崩能力较强,可以承受一定的瞬态过压事件,从而提高了系统的鲁棒性。
  该器件的导通电阻在典型条件下仅为 150mΩ,有助于减少传导损耗。同时,其栅极电荷较低,减少了驱动功率需求,进一步提升了整体效率。
  由于采用了 TO-220 封装,NTH4L040N65S3F 提供了良好的散热性能,使其能够在高功率密度的应用中稳定运行。另外,宽泛的工作温度范围使它能够适应多种恶劣环境。

应用

NTH4L040N65S3F 广泛应用于需要高效能和高可靠性的领域,包括但不限于以下方面:
  - 开关电源(SMPS)
  - 直流/直流转换器
  - 电机驱动电路
  - 太阳能逆变器
  - 工业控制
  - 电动工具
  凭借其高频特性和低损耗,该器件成为这些应用的理想选择。

替代型号

NTH4L040N65S3
  NTH4L040N65S3L
  IRFP460
  FDP18N65C3

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NTH4L040N65S3F参数

  • 现有数量340现货
  • 价格1 : ¥87.53000管件1 : ¥140.55000管件
  • 系列FRFET?, SuperFET? III
  • 包装管件管件
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)65A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 32.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 2.1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)158 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5940 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)446W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-4L
  • 封装/外壳TO-247-4