型号：UPA1C392MHD
　　制造商：Rohm
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：6.8A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：27A
　　栅源击穿电压(V(BR)GSS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：23mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：28mΩ
　　栅极电荷(Qg)@10V：8.5nC
　　输入电容(Ciss)：570pF
　　输出电容(Coss)：100pF
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　阈值电压(Vth)@ID=250μA：1.0V ~ 2.0V
　　功耗(Pd)：2W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：HVSOF-5B

UPA1C392MHD具备出色的导通性能和开关效率，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=4.5V时仅为28mΩ，在VGS=10V时进一步降至23mΩ。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流、低电压的电源转换场景。例如，在同步整流型DC-DC变换器中，低RDS(on)可有效减少I2R损耗，提高转换效率，延长电池续航时间。同时，较低的导通压降也有助于减小散热需求，从而允许在更紧凑的设计中使用而不会引发过热问题。
　　该器件还具有较小的栅极电荷（Qg=8.5nC @10V），这直接影响了开关过程中的驱动能量消耗和开关速度。低Qg意味着可以用更低的驱动电流实现快速开关，减少了开关延迟时间和过渡损耗，特别适合高频开关应用，如开关电源(SMPS)、LED背光驱动或便携式设备中的负载开关控制。此外，输入电容Ciss为570pF，输出电容Coss为100pF，这些参数保证了良好的高频响应能力和稳定的开关行为。
　　UPA1C392MHD的阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保了在低电压逻辑信号（如3.3V或2.5V MCU输出）下也能可靠开启，避免因驱动不足导致的非饱和导通状态。这种宽泛且可控的开启特性增强了系统的兼容性和鲁棒性。反向恢复时间trr为18ns，说明其体二极管具有较快的恢复能力，有助于减少在桥式电路或续流路径中的反向恢复损耗和电磁干扰(EMI)。
　　HVSOF-5B封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具有优良的热传导性能，底部带有散热焊盘，可通过PCB敷铜层将热量迅速导出，提升了长期运行的可靠性。该封装还经过优化以减少引线电感，有助于抑制开关过程中的电压尖峰和振铃现象，进一步提升系统稳定性。综合来看，UPA1C392MHD在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效能电源管理方案中的优选器件之一。

UPA1C392MHD常用于各类需要高效能、小尺寸功率开关的电子系统中。典型应用包括便携式消费电子产品中的电池供电管理电路，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径控制模块。在这些设备中，它负责在不同功能模块之间切换电源供应，实现节能待机或快速唤醒功能，同时凭借其低静态功耗和快速响应能力，保障用户体验流畅。
　　另一个重要应用领域是DC-DC降压或升压转换器，特别是在同步整流拓扑中作为低端开关使用。在此类电路中，UPA1C392MHD的低导通电阻和快速开关特性能够显著提升转换效率，尤其是在轻载到中等负载条件下表现优异。此外，它也可用于电机驱动电路中的H桥结构，控制小型直流电机或步进电机的方向和启停，适用于玩具、家用电器或自动化设备中的微型执行机构。
　　工业控制板和嵌入式系统中也常见该器件的身影，用于实现继电器替代、LED驱动或多路电源分配等功能。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致，因此适合部署在环境条件较为严苛的场合。此外，因其符合RoHS标准且支持无铅回流焊接工艺，UPA1C392MHD也满足现代绿色制造的要求，广泛应用于出口型电子产品和高可靠性工业模块中。

UPA1H392MHD
　　Si2302DDS-E3
　　AON6260
　　FDMC86282