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NTGS5120PT1G 发布时间 时间:2023/4/13 11:19:26 查看 阅读:500

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单

目录

概述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFET,GaNFET - 单

FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:111 毫欧 @ 2.9A, 10V

漏极至源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.8A

Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250?A

闸电荷(Qg) @ Vgs:18.1nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :942pF @ 30V

功率 - 最大:600mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-74-6

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:6-TSOP

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTGS5120PT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C111 毫欧 @ 2.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18.1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds942pF @ 30V
  • 功率 - 最大600mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTGS5120PT1G-NDNTGS5120PT1GOSTR