时间：2025/5/27 18:55:09
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5AGXFA7H4F35C5N 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率电源转换和电机驱动等场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。其封装形式为 TO-263（D2PAK），适合表面贴装应用，能够有效降低系统成本并提高可靠性。
这款器件在设计时注重了低损耗和高温稳定性，适用于工业、汽车和消费电子领域中的多种应用场景。
型号：5AGXFA7H4F35C5N
类型：N-Channel MOSFET
漏源极击穿电压：60V
连续漏极电流：35A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-263 (D2PAK)
功耗：250W
5AGXFA7H4F35C5N 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流条件下保持高效的性能。
2. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并提升系统的整体效率。
3. 高电流承载能力，支持高达 35A 的连续漏极电流，满足高功率应用需求。
4. 出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行，延长使用寿命。
5. 小型化的 D2PAK 封装，便于表面贴装并节省 PCB 空间。
6. 宽泛的工作温度范围，适应各种严苛环境条件。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流元件。
2. 汽车电子系统中的电机驱动和负载切换。
3. 工业自动化设备中的功率控制和保护电路。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备中的功率管理模块。
5. 消费类电子产品中的高效电源解决方案。
凭借其高性能和可靠性，5AGXFA7H4F35C5N 成为众多功率转换应用的理想选择。
5AGXFA7H4F35C3M, 5BGXFA7H5F35C5N
