时间：2025/6/21 18:29:12
阅读：5
NTGD3149CT1G是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），由纳微半导体（Navitas Semiconductor）制造。该器件采用了先进的GaN-on-Silicon工艺，旨在提供卓越的开关性能和效率。它具有极低的导通电阻和快速的开关速度，适用于高频、高效能的应用场景，例如电源适配器、充电器、太阳能逆变器以及数据中心电源等。
型号：NTGD3149CT1G
类型：增强型高电子迁移率晶体管（E-Mode HEMT）
材料：氮化镓（GaN）
Vds（漏源电压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：170mΩ
Id（持续漏电流）：12A
Qg（栅极电荷）：48nC
Ciss（输入电容）：2300pF
Coss（输出电容）：165pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
NTGD3149CT1G利用氮化镓材料的优异性能，具备极低的导通电阻和栅极电荷，这使得其在高频开关应用中表现出更高的效率和更低的损耗。
由于其高效的开关特性，这款器件非常适合于需要高功率密度的设计，例如快充适配器和高效DC-DC转换器。
此外，NTGD3149CT1G采用了DFN8x8封装形式，能够有效提升散热性能并简化PCB布局设计。
相比传统硅基MOSFET，该产品在相同电压和电流等级下实现了更小的尺寸和更高的效能。
NTGD3149CT1G广泛应用于各种高频、高效率的电力电子领域，包括但不限于：
1. USB PD快充适配器
2. 开关电源（SMPS）
3. 数据中心电源模块
4. 太阳能微型逆变器
5. 无线充电发射端
6. 汽车充电桩
7. 高效DC-DC转换器
NTGD3155CT1G
NTGD3160CT1G
