内存类型：DDR3 SDRAM
　　容量：2GB
　　速度：1600MHz
　　电压：1.35V
　　CL延迟：11
　　数据宽度：x8
　　封装：FBGA
　　工作温度：0°C 至 85°C

HMT325S6BFR8CPBN0 DDR3内存模块具备多项优异特性，以满足高性能计算和数据中心应用的需求。
　　首先，该模块采用1.35V的低压设计，相较于传统的1.5V DDR3内存，能够显著降低功耗并减少热量产生，从而提高系统的能效和稳定性。
　　其次，该内存模块的速度为1600MHz，CL延迟为11，能够在保证数据传输稳定性的同时提供较高的带宽性能。这对于处理大量数据和多任务并行操作的应用非常关键。
　　该模块采用x8数据宽度的配置，具备良好的错误检测和校正能力，有助于提升系统的数据完整性与可靠性，尤其适用于服务器和存储系统等对数据准确性要求极高的环境。
　　此外，HMT325S6BFR8CPBN0使用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，提供了更小的封装尺寸和更好的电气性能，确保在高频工作下的稳定性。
　　最后，其工作温度范围为0°C至85°C，能够适应各种苛刻的运行环境，确保在高负载和高温条件下依然保持可靠的性能。

HMT325S6BFR8CPBN0 DDR3内存模块广泛应用于服务器、企业级工作站、网络设备、存储系统以及高性能计算平台等场景。该模块的低功耗、高带宽和高可靠性特性使其非常适合用于数据中心服务器、虚拟化系统、数据库服务器、云计算基础设施以及视频处理等对内存性能要求较高的应用领域。此外，它也可用于高端个人电脑和图形工作站，为需要大量内存和快速数据访问的应用提供强大的支持。

HMT325S6EFR8C-PB