NTF2955E 时间：2025/8/25 0:27:34 阅读：14

NTF2955E是一款N沟道增强型功率MOSFET，由ON Semiconductor生产。该器件适用于高电流和高功率的应用，具备良好的导通特性和较高的可靠性。NTF2955E广泛用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等场景。该MOSFET采用TO-220封装形式，便于散热并适用于各种工业级应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：最大90A
　　漏-源电压（VDS）：最大60V
　　栅-源电压（VGS）：最大±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.044Ω（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：最大160W
　　栅极电荷（Qg）：典型值为68nC

特性

NTF2955E的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这使得器件在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了整体效率。此外，该器件具有高电流承载能力和优良的热性能，适合用于高功率密度的设计。其TO-220封装不仅提供了良好的散热能力，还确保了机械稳定性。NTF2955E的栅极驱动要求较低，能够在常见的10V驱动电压下完全导通，简化了驱动电路的设计。
　　该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，能够应对突发的电压和电流冲击，从而提高了系统的可靠性和稳定性。此外，NTF2955E的开关特性表现优异，具有较快的开关速度，适用于高频开关应用。其较高的输入阻抗特性也使得该器件在数字控制和模拟控制电路中都具有广泛的应用潜力。

应用

NTF2955E常用于多种高功率和高电流应用场景，例如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统、工业自动化控制、电源管理模块以及汽车电子系统等。其优异的导通特性和热管理能力，使其特别适合于需要高效率和高可靠性的电源设计。此外，NTF2955E也可用于负载开关和电源分配系统，以实现对电源的精确控制和保护。