时间：2025/9/14 19:17:39
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PDTA143EU,115 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。这款晶体管采用 SOT-323 封装，是一种小型表面贴装封装，适用于空间受限的电子设备中。PDTA143EU,115 被设计用于通用开关和放大应用，具有较高的可靠性和稳定性。其基极与发射极之间内置了一个电阻（R1 = 10 kΩ），同时集电极和基极之间也集成了另一个电阻（R2 = 10 kΩ），这种设计减少了外部电路所需的元件数量，简化了电路设计并提高了可靠性。
类型: NPN 晶体管
封装类型: SOT-323
集电极-发射极电压 (Vceo): 50V
集电极-基极电压 (Vcbo): 50V
发射极-基极电压 (Vebo): 5V
集电极电流 (Ic): 100mA
功耗 (Ptot): 200mW
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
存储温度范围: -55°C ~ +150°C
内置电阻 R1 (基极-发射极): 10kΩ
内置电阻 R2 (集电极-基极): 10kΩ
PDTA143EU,115 晶体管的主要特性之一是其内部集成的两个电阻器，这种设计减少了对外部电阻的需求，从而简化了 PCB 设计并减少了电路板空间的占用。这种晶体管适用于数字和模拟电路中的开关和放大应用。
此外，PDTA143EU,115 的最大集电极电流为 100mA，使其适用于低功率应用，例如逻辑电路接口、小型继电器驱动器和 LED 控制电路。其集电极-发射极电压为 50V，确保了在较高电压环境下的稳定运行。
该晶体管的封装采用 SOT-323 标准，符合 RoHS 环保标准，适用于现代电子制造中的无铅焊接工艺。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表明它能够在极端温度条件下保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子应用。
由于其内置电阻的设计，PDTA143EU,115 可以直接与数字 IC 输出端口连接，无需额外的限流电阻，这提高了电路的集成度并降低了设计复杂性。该晶体管还具有较低的饱和电压（VCE(sat)），有助于减少功率损耗并提高能效。
最后，PDTA143EU,115 的高可靠性使其成为许多消费类和工业类电子产品中的首选晶体管之一，包括电源管理模块、传感器接口电路和小型电机控制电路。
PDTA143EU,115 主要应用于需要小型化和高集成度的电子电路中，例如便携式消费电子产品、工业控制系统、汽车电子模块和通信设备。它常用于逻辑电平转换、继电器和 LED 驱动、小型电机控制以及信号放大电路中。由于其内置电阻的设计，它特别适合用于与微控制器或数字 IC 接口的应用，例如 GPIO 输出扩展和继电器控制电路。此外，该晶体管也广泛用于电源管理系统中，用于控制和调节电源输出。
PDTA143ET,115, PDTA143ES,115, 2N3904, BC847
