时间：2025/12/25 6:23:25
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NTD70N03RG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场合。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能，适用于高效率和高可靠性的设计需求。NTD70N03RG 采用紧凑的 DPAK 封装，便于在空间受限的应用中使用。
型号：NTD70N03RG
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：70A（最大）
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：56nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：DPAK
NTD70N03RG 的主要特性之一是其极低的导通电阻 RDS(on)，在 VGS = 10V 时典型值仅为 4.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件支持高达 70A 的连续漏极电流，能够满足高功率应用的需求。此外，其具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适合用于散热条件有限的设计中。
NTD70N03RG 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，从而提高了整体能效。其栅极驱动电压范围宽（可支持 4.5V 至 20V），适用于多种驱动电路配置。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的可靠性。
该器件的封装形式为 DPAK，具有良好的散热性能和机械强度，便于表面贴装，适用于自动化生产流程。同时，其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
NTD70N03RG 常用于各类电源转换和功率控制电路中，例如同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源管理系统（PSM）等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效率电源设计的理想选择，尤其适用于需要高功率密度和低损耗的应用场景。
在工业自动化、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子领域，NTD70N03RG 也得到了广泛应用。例如，在电动车或储能系统中，该器件可用于构建高效能的功率开关模块；在服务器电源系统中，它可作为主开关或同步整流器，提高整体能效。
NTD70N03RGT4G, NTD70N03R
