时间：2025/6/11 20:04:11
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NTD70N03R-1G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为低电压、大电流应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于电源管理、电机驱动和负载切换等场景。
其封装形式为 TO-252 (DPAK)，有助于提高散热性能和安装灵活性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：70A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：40nC
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
NTD70N03R-1G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适用于开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 高雪崩击穿能量，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 紧凑的封装尺寸便于 PCB 布局，同时提供良好的热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的要求。
该 MOSFET 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动电路
3. DC-DC 转换器
4. 电池保护电路
5. 电信和工业控制系统的负载切换
NTD70N03L-1G, IRFZ44N, FDP067N03L
