时间：2025/6/22 14:39:02
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NTD6414ANT4G是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换和开关的电路中。这款器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合在多种电源管理场景下使用。
型号：NTD6414ANT4G
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
VDS（漏源电压）：40V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，@VGS=10V）
ID（连续漏极电流）：39A
Qg（栅极电荷）：7nC
fT（截止频率）：3.4MHz
功耗：132W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
NTD6414ANT4G具备非常低的导通电阻RDS(on)，这有助于减少传导损耗，提高效率。同时，其高电流承载能力和快速开关性能使得它非常适合于DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
该器件还具有较低的栅极电荷Qg，从而能够降低开关损耗，并且支持高频操作。
此外，NTD614ANT4G的热稳定性非常好，能够在极端温度范围内正常运行，保证系统的可靠性。
这款MOSFET主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换
2. DC-DC转换器
3. 电池管理系统(BMS)
4. 汽车电子系统中的负载开关
5. 工业自动化设备中的电机驱动
6. 计算机和通信设备中的电源管理
NTD6414N, IRF6414, FDP5500
