10BQ100 时间：2025/10/28 9:18:25 阅读：7

10BQ100是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的双共阴极肖特基整流二极管，广泛应用于高效率电源转换系统中。该器件采用先进的平面硅技术制造，具有低正向压降和快速开关特性，能够有效降低功耗并提升系统整体能效。其额定直流阻断电压为100V，最大平均整流电流为10A，适用于多种工业、消费类及通信电源设计。10BQ100封装在紧凑的D2PAK（TO-263）表面贴装功率封装中，具备优良的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程。
　　该器件特别适用于需要高效整流和低损耗设计的应用场景，例如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及极性保护电路等。由于其双共阴极结构，两个二极管共享一个阴极连接端，这种配置常用于中心抽头变压器的全波整流拓扑中，简化了PCB布局并减少了寄生电感的影响。此外，10BQ100符合RoHS环保标准，并通过了无铅认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。工作结温范围可达-55°C至+150°C，使其能够在严苛环境下稳定运行。

参数

型号：10BQ100
　　类型：双共阴极肖特基整流二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　最大平均整流电流（IO）：10A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（半正弦波，8.3ms）
　　最大正向压降（VF）：0.87V（在10A条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA（在100V、25°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：D2PAK（TO-263）
　　安装方式：表面贴装

特性

10BQ100的核心优势在于其低正向导通压降与高效的热管理能力。该器件采用高性能肖特基势垒技术，使得在大电流导通状态下仍能保持较低的电压降，典型值在10A时仅为0.87V，显著降低了导通损耗，提高了电源系统的转换效率。相比传统的PN结二极管，肖特基二极管没有少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度，几乎不存在反向恢复时间（trr），从而大幅减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性尤其适用于高频开关电源应用，如服务器电源、电信设备电源模块以及便携式充电设备中的DC-DC变换器。
　　双共阴极结构的设计优化了电路布线，允许两个独立的阳极共享一个公共阴极输出，非常适合用于全波整流拓扑中，尤其是带中心抽头变压器的次级侧整流。这种结构不仅节省了空间，还减少了PCB上的走线复杂度，有助于提高功率密度和系统可靠性。D2PAK封装提供了良好的散热路径，通过底部焊盘可将热量有效地传导至PCB的铜层或散热器上，确保器件在高负载条件下也能维持安全的工作温度。此外，该封装支持回流焊工艺，适用于现代化SMT生产线，提升了制造效率和产品一致性。
　　10BQ100具有出色的电气稳定性，在高温环境下反向漏电流控制良好，最大仅1.0mA（100V, 25°C），尽管随着温度升高漏电流会有所增加，但仍在可接受范围内。器件具备较高的浪涌电流承受能力，可达150A（8.3ms半正弦波），增强了对瞬态过流事件的耐受性，提高了系统鲁棒性。综合来看，10BQ100是一款兼顾性能、可靠性和可制造性的高性价比功率二极管解决方案，适用于追求小型化、高效率和高可靠性的现代电源设计需求。

应用

10BQ100主要应用于各类中高功率开关电源系统中，包括但不限于AC-DC适配器、PC电源、工业电源模块、通信电源设备以及DC-DC转换器。其低正向压降和快速响应特性使其成为高频整流场合的理想选择。在带中心抽头变压器的全波整流电路中，该器件的双共阴极结构可以简化电路设计，减少元件数量和PCB布局复杂度，广泛用于笔记本电脑适配器、LED驱动电源和路由器电源等消费类电子产品中。
　　此外，10BQ100也适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和电机驱动器中的续流或箝位二极管角色。其高浪涌电流能力和宽温度工作范围使其能在恶劣环境中稳定运行，适合工业控制和户外设备使用。在电池充电管理系统中，可用于防止反向电流流动，实现极性保护功能。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化生产，广泛应用于需要大批量生产的电子制造领域。