NTD5865NT4G 时间：2025/6/11 9:51:40 阅读：10

NTD5865NT4G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 Nexperia 公司的 Small Signal MOSFET 系列。该器件采用 LFPAK33 封装（也称为 D2PAK-3），具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能开关应用。这款 MOSFET 常用于消费电子、工业控制以及通信设备中，能够满足高性能和小型化设计需求。
　　该芯片的工作电压范围较广，可以承受较高的漏源电压，同时具备出色的热性能和电气性能，使其在空间受限的应用中表现优异。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：78A
　　导通电阻（典型值，Vgs=10V）：1.5mΩ
　　总栅极电荷：29nC
　　输入电容：1940pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：LFPAK33 (D2PAK-3)

特性

NTD5865NT4G 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 高电流处理能力，支持高达 78A 的连续漏极电流。
　　3. 快速开关性能，具有较低的栅极电荷和输出电容。
　　4. 良好的热稳定性，适合高温环境下的长期运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代制造工艺。
　　6. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，非常适合便携式和紧凑型应用。
　　7. 宽泛的工作温度范围，确保在极端条件下的可靠性。

应用

NTD5865NT4G 广泛应用于需要高效能功率切换的场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　4. 电池保护系统中的负载开关。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 消费类电子产品中的充电管理电路。
　　其低导通电阻和高电流能力使它成为许多大功率、高频开关应用的理想选择。