时间：2025/9/15 2:09:23
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BUK7Y3R5-40H是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能和高可靠性应用设计。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能，适用于多种功率管理场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A（在25°C）
最大漏源电压（VDS）：40V
导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ（最大值）
栅极电荷（Qg）：95nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
BUK7Y3R5-40H具有多项先进特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其超低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件采用TrenchMOS技术，提供更高的电流密度和更小的芯片尺寸，从而在紧凑型设计中实现高性能。
该MOSFET具有高电流承载能力，可支持高达100A的连续漏极电流，适用于高功率需求的应用。其高耐压特性（40V VDS）确保在高压环境下稳定运行，并具备出色的过载和瞬态电压抑制能力。
在热性能方面，BUK7Y3R5-40H表现出优异的散热能力，能够在极端温度条件下保持稳定运行，其工作温度范围为-55°C至175°C，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。此外，该器件采用TO-263（D2PAK）封装，支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高密度电路布局。
该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，并提高了系统的动态响应能力。其低栅极电荷（Qg）和优化的内部结构有助于减少开关延迟和提高转换效率。
BUK7Y3R5-40H广泛应用于多个领域，包括电源管理、直流-直流转换器、电机控制、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和汽车电子。在汽车应用中，该器件常用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和48V轻混系统，提供高效、稳定的功率控制。在工业领域，该MOSFET适用于伺服驱动器、不间断电源（UPS）和高功率LED照明系统。
IRF1010E, STP100N4F5, FDP100N40
