时间：2025/9/14 17:09:16
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PSMN5R6-100PS,127 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等领域。PSMN5R6-100PS,127采用先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，能够在高频率下工作，有助于提升系统效率并减小电路尺寸。该器件采用小型化的LFPAK56（Power-SO8）封装，具备优异的热性能和机械稳定性，适合在工业、汽车及消费类电子应用中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID@25℃）：90A
导通电阻（RDS(on) @ VGS=10V）：5.6mΩ
导通电阻（RDS(on) @ VGS=4.5V）：8.4mΩ
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)
功耗（Ptot）：96W
阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.5V
栅极电荷（Qg @ 10V）：45nC
反向恢复电荷（Qrr）：210nC
短路额定值：有
PSMN5R6-100PS,127 采用Nexperia先进的Trench MOSFET制造工艺，具有极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为5.6mΩ，在VGS=4.5V时也低至8.4mΩ，使得该器件在低压驱动电路中也能表现出色。此外，该MOSFET具有高电流承载能力，ID在25℃下可达90A，支持高功率密度的设计需求。
该器件的封装形式为LFPAK56（Power-SO8），这是一种高可靠性的双侧散热封装，可提供优异的热管理性能。相比传统封装，LFPAK56减少了封装电阻和电感，提升了高频开关性能，并增强了机械稳定性，特别适合在高振动环境下使用，如汽车电子应用。
PSMN5R6-100PS,127还具备良好的抗短路能力和雪崩能量承受能力，确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。其栅极电荷Qg为45nC，使开关损耗保持在较低水平，适用于高频开关应用。同时，反向恢复电荷Qrr为210nC，有助于降低同步整流和桥式电路中的损耗。
该MOSFET的阈值电压范围为2.0V至3.5V，兼容多种驱动电路，包括低电压MCU或专用驱动IC。此外，其工作温度范围广泛，从-55℃至+175℃，适用于各种严苛环境下的工业和汽车应用。
PSMN5R6-100PS,127 广泛应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源分配系统（PDU）以及汽车电子中的各种功率控制模块。
在服务器电源、通信电源和工业自动化设备中，该MOSFET常用于高边或低边开关，实现高效的能量转换与分配。在新能源领域，如光伏逆变器、储能系统和电动车电源管理系统中，PSMN5R6-100PS,127的高可靠性和优异热性能使其成为理想选择。
由于其LFPAK56封装具备出色的抗震能力，PSMN5R6-100PS,127也适用于汽车应用，如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电动助力转向系统（EPS）以及智能电池管理系统等。
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