时间：2025/6/29 15:12:15
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NTD5406NT4G 是一款 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管（MOSFET），由 ON Semiconductor 公司生产。它适用于需要低导通电阻和快速开关速度的场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用。该器件采用 DPAK 封装形式，具有良好的散热性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：39A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗：125W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
NTD5406NT4G 的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高效率应用中表现出色。同时，它的逻辑电平驱动兼容性允许直接与常见的逻辑电路接口，无需额外的驱动级。此外，由于采用了 DPAK 封装，该器件能够提供优异的散热性能，从而支持更高的功率密度。
其快速开关能力和较低的栅极电荷也使得它非常适合高频开关应用。这些特性共同确保了高效能和可靠的运行。
NTD5406NT4G 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
- 开关电源（如 DC-DC 转换器、反激式转换器等）
- 同步整流
- 负载开关
- 电池管理
- 电机控制
- 工业自动化设备中的功率转换模块
NTD5406N, FDP5802, IRLZ44N
