时间：2025/5/30 22:47:58
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NTD4979N-35G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。该器件采用 TO-263 封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于中高功率应用环境。
这款 MOSFET 的设计目标是提供高效的功率转换性能，同时保持良好的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：35A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：10nC
总电容：1350pF
功耗：15W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
NTD4979N-35G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下可低至 2.8mΩ，从而降低传导损耗。
2. 快速开关性能，支持高频应用。
3. 高雪崩能力，能够承受异常状态下的能量冲击。
4. 提供了优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 栅极阈值电压较低，易于驱动，兼容标准逻辑电平。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
NTD4979N-35G 可用于多种电力电子场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 继电器替代方案，用于需要快速响应的应用。
5. 电池保护电路中的负载开关。
6. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, FDP5570, STP36NF06L
