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IXFT20N100P 发布时间 时间:2023/3/7 14:31:27 查看 阅读:450

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:Polar?

    

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:Polar?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:570 毫欧 @ 500mA, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):1000V (1kV)

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:20A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):6.5V @ 1mA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:126nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :7300pF @ 25V

    功率 - 最大:660W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:TO-268

    包装:管件

    供应商设备封装:*


资料

厂商
IXYS

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IXFT20N100P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C570 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs126nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7300pF @ 25V
  • 功率 - 最大660W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件