时间：2025/6/21 0:46:22
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MDD1902RH 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，主要用于开关和功率放大应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热稳定性等特性，适用于各种需要高效能和高可靠性的电子设备。
这款 MOSFET 在电源管理、电机驱动、负载开关以及其他功率转换场景中表现出色，其封装形式为 TO-252(DPAK)，有助于提高散热性能并简化电路设计。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：45mΩ
总功耗：1.3W
工作结温范围：-55℃ to +150℃
封装类型：TO-252(DPAK)
MDD1902RH 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，非常适合开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性和可靠性。
4. 小型封装设计 (TO-252/DPAK)，便于 PCB 布局，并且具备良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
6. 稳定的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C)，使其能够在极端环境下正常运行。
MDD1902RH 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
2. 各类 DC-DC 转换器。
3. 电池保护电路。
4. 电机驱动和控制。
5. 负载开关和固态继电器。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. LED 照明驱动电路。
8. 消费类电子产品中的功率管理单元。
MDD1902E, IRFZ44N, FQP27P06
