时间：2025/12/24 5:44:34
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NTD4963N-1G 是一款 N 沣道通公司生产的功率 MOSFET，属于 NT 系列的增强型 N 沟道 MOSFET。这款器件采用 TO-252 (DPAK) 封装形式，适用于高效率开关电源、电机驱动、负载开关等应用场合。其低导通电阻和快速开关特性使其成为便携式设备、工业控制和消费电子的理想选择。
该器件在设计上优化了电气性能和散热能力，能够有效降低功耗并提高系统可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1780pF
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
NTD4963N-1G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频开关应用，减少开关损耗。
3. 较高的连续漏极电流额定值，可满足大电流应用场景的需求。
4. 宽泛的工作温度范围，适合恶劣环境下的使用。
5. 具备出色的热稳定性和鲁棒性，确保长时间运行的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
NTD4963N-1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器和充电器。
2. 电池管理与保护电路，例如锂离子电池组。
3. 电机驱动和控制，用于家用电器和工业设备。
4. 负载开关和保护电路，常见于消费类电子产品。
5. DC/DC 转换器和 LED 驱动电路。
6. 各种需要高效功率转换和控制的场景。
NTD4964N-1G, IRFZ44N, AO3400A
