时间：2025/7/8 23:00:54
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NTD4910NT4G 是一款 N 沟道逻辑增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于电源管理、负载开关和电机驱动等领域。其封装形式为 DPAK，具有较低的导通电阻和良好的开关性能，能够在高频和高效率的应用场景中表现优异。
NTD4910NT4G 的设计使其能够承受较高的电压，并且具备快速开关能力，在需要高效能和低功耗的系统中有广泛用途。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：37A
导通电阻：3.5mΩ
总栅极电荷：41nC
输入电容：2850pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
NTD4910NT4G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用。
3. 较高的连续漏极电流能力，适用于大功率应用场景。
4. 小巧的 DPAK 封装，便于集成到紧凑型设计中。
5. 良好的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
6. 高度可靠的制造工艺，保证长时间使用中的稳定性和一致性。
NTD4910NT4G 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
5. 各类 DC-DC 转换器和逆变器设计。
6. 电动汽车和混合动力汽车中的功率控制模块。
NTD4960N, IRFZ44N, FDP5560
